集成光子学使用光而不是电子来完成各种应用。在过去的二十年中,集成光子学领域取得了巨大的发展,特别是在硅集成光子学领域,它具有利用半导体CMOS制造工艺和材料的独特能力,可实现高密度、高产量,并以低成本大规模制造光学器件。硅光子学起源于光通信行业,其应用已扩展到光计算、光传感、非线性光学、量子光学、光机械,甚至神经科学等领域。
氮化硅(Silicon Nitride)作为一种常见的 CMOS 兼容的光学薄膜介质材料由于其独特的光学特性吸引了越来越多的关注。氮化硅具有相对高的折射率,可以实现光场高约束;此外,通过调节制备过程中的参数,氮化硅材料的折射率可调节至1.9-3.1之间,在器件设计中具有很高的自由度;氮化硅具有较大的能带间隙和大范围的透明光学窗口,可以实现超低损耗;这些优异的特性使其具有巨大的吸引力。
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